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透射電鏡原位STM-TEM低溫電學測量系統(tǒng)
PicoFemto透射電鏡原位STM-TEM低溫電學測量系統(tǒng)可在電學測量的同時,動態(tài)、高分辨地對樣品的晶體結構、化學組分、元素價態(tài)進行綜合表征,大大地擴展了透射電子顯微鏡的功能與應用領域。
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PicoFemto透射電鏡原位STM-TEM低溫電學測量系統(tǒng),是在標準外形的透射電鏡樣品桿內(nèi)加裝掃描探針控制單元,通過探針對單個納米結構進行操縱和電學測量,并可在電學測量的同時,動態(tài)、高分辨地對樣品的晶體結構、化學組分、元素價態(tài)進行綜合表征,大大地擴展了透射電子顯微鏡的功能與應用領域。
透射電鏡原位STM-TEM低溫電學測量系統(tǒng)在標配的STM-TEM樣品桿上集成低溫環(huán)境控制單元,從而實現(xiàn)在透射電鏡中進行原位低溫電學測量的目的。
PicoFemto透射電鏡原位 STM-TEM低溫電學測量系統(tǒng)性能指標
透射電鏡指標:
● 兼容電鏡型號及極靴;
● 可選雙傾版本,雙傾電學測量樣品桿Y軸傾角±25°(同時受限于極靴間距);
● 保證透射電鏡原有分辨率。
電學測量指標:
● 包含一個電流電壓測試單元;
● 電流測量范圍:1 nA-30 mA,9個量程;
● 電流分辨率:優(yōu)于100 fA;
● 電壓輸出范圍:普通模式±10 V,高壓模式±150 V;
● 自動電流-電壓(I-V)測量、電流-時間(I-t)測量,自動保存。
掃描探針操縱指標:
● 粗調(diào)范圍:XY方向2.5 mm,Z方向1.5 mm;
● 細調(diào)范圍:XY方向18 um,Z方向1.5 um;
● 細調(diào)分辨率:XY方向0.4 nm,Z方向0.04 nm。
低溫參數(shù)指標:
● 兼容型號透射電鏡及極靴;
● 全溫區(qū)結構分辨率優(yōu)于0.2 nm;
● 變溫范圍為85 K-380 K,溫度穩(wěn)定性優(yōu)于±0.1 K。
產(chǎn)品特色
(1)溫度連續(xù)可控,穩(wěn)定性高;
(2)低溫下可實現(xiàn)對樣品施加應力及電學研究;
(3)穩(wěn)定性高:輕松獲得大幅度運動中的高分辨像,適用于更廣泛的應用場景和樣品體系;
(4)很長的壽命:“爪-球"結構探針桿因其結構設計,是皮實耐用的探針桿;
(5)很低維護成本:設備配套的針尖制備系統(tǒng)可低成本制備針尖耗材。"爪-球“微動結構已實現(xiàn)模塊化量產(chǎn),維護成本低;
(6)很大的用戶群:在國內(nèi)擁有近200個高質(zhì)量原位用戶,出口到歐美澳等地。每年,用戶會產(chǎn)出大量高質(zhì)量研究成果。定期組織各類用戶交流活動,搭建學術平臺供用戶交流;
(7)成熟的技術支持網(wǎng)絡:在安徽、北京、東莞和上海擁有分公司,其他各地擁有若干技術支持網(wǎng)點,24小時提供技術支持。
部分國內(nèi)用戶
部分國外用戶
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